并符合DDR1/DDR2/DDR3标准要求

• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: 标准 DC/DC控制器 加利福尼亚州 电源电压 基准电压 双输出 降压型 存储器
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 176-176
• 分类号: TN722.75
• 字数: 821字
• 语种: 中文

摘要

加利福尼亚州米尔皮塔斯（MILPITAS,CA）凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高效率双输出同步降压型DC/DC控制器LTC3876,该器件为DDR1/DDR2/DDR3以及未来的标准存储器应用产生VDDQ电源电压、VTT总线终端电压和VTTR基准电压。第一个通道的输出产生VDDQ,并可在电流高达25 A时,在2.5~1 V的范围内设定VDDQ。