ZnO压敏陶瓷的介电谱

• 作者: 成鹏飞 李建英 李盛涛
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO压敏陶瓷 介电谱 Schottky势垒 显微结构
• 年，卷（期）: 2012,（18）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 439-443
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文

摘要

在--160℃-200℃温度范围内、0．1Hz-0.1MHz频率范围内测量了ZnO压敏陶瓷的介电频谱，发现可以采用电导率谱低频端的类直流特性来表征晶界Schottky势垒的电子输运过程，获得的Schottky势垒高度为0．77eV基于背靠背双Schottky势垒模型，提出当存在直流偏压时，势垒高度将随直流偏压线性增大．基于此势垒模型计算了ZnO压敏陶瓷单晶界的直流偏压大小，进而计算出品粒平均尺寸为6．8um，该理论值与通过扫描电子显微镜断面照片获得的测量值的偏差在5％以内．可见采用介电谱不但可以获得势垒高度实现电气性能的表征，还能获得晶粒尺寸实现显微结构的表征．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李盛涛	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	98	927	20.0	26.0
2	成鹏飞	西安工程大学理学院	31	172	8.0	12.0
3	李建英	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	80	757	17.0	24.0