新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应研究

• 作者: 刘红侠 曹磊
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自加热效应 漏致势垒降低 A1N 空洞
• 年，卷（期）: 2012,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 470-475
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

本文提出了一个新型的S01埋层结构SOANN（siliconon aluminum nitride with nothing），用AIN代替传统的Si02材料，并在S01埋氧化层中引入空洞散热通道．分析了新结构S01器件的自加热效应．研究结果表明：用AIN做为S01埋氧化层的材料，降低了晶格温度，有效抑制了自加热效应．埋氧化层中的空洞，可以进一步提供散热通道，使埋氧化层的介电常数下降，减小了电力线从漏端通过埋氧到源端的耦合，有效抑制了漏致势垒降低DIBL（drain Induced barrier lowering）效应．因此，本文提出的新型SOANN结构可以提高S01器件的整体性能，具有优良的可靠性．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	曹磊	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	19	3.0	4.0