基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
本文通过恒定应力加速实验对GaN微波单片集成电路中SiN介质MIM电容的可靠性进行了评估,研究了高场下MIM电容的两种失效模式、临界介质击穿电荷密度以及平均失效前时间.通过不同温度下介质电容的导电特性求解了介质内的缺陷能级.重点分析了SiN介质MIM电容的退化机理,研究认为高应力下介质内产生新的施主型缺陷,并占据主导地位,其缺陷能级逐渐向深能级转移;缺陷的持续增加加剧了介质内载流子的散射,导致应力后期泄漏电流降低.SiN介质MIM电容退化机理的研究为加固介质电容提供了依据.
推荐文章
电磁脉冲对MMIC电路中MIM电容的损伤分析
电磁脉冲
微波单片集成电路
金属-绝缘体-金属电容
失效分析
GaAs MMIC可靠性研究与进展
砷化镓器件
单片微波集成电路
可靠性
失效
脉冲电容器的可靠性试验研究
脉冲电容器
可靠性试验
老炼
加速寿命试验
串联电容器装置保护的可靠性分析
串联电容器组
不平衡保护
无熔丝电容器
内熔丝电容器
可靠性
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性
来源期刊 物理学报 学科 工学
关键词 SiN MIM电容 缺陷 平均失效前时间
年,卷(期) 2012,(17) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 476-481
页数 分类号 TN304.23
字数 语种 中文
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2012(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2017(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
SiN
MIM电容
缺陷
平均失效前时间
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
论文1v1指导