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GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性
GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性
作者:
刘新宇
庞磊
王建辉
王鑫华
罗卫军
袁婷婷
陈晓娟
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
SiN
MIM电容
缺陷
平均失效前时间
摘要:
本文通过恒定应力加速实验对GaN微波单片集成电路中SiN介质MIM电容的可靠性进行了评估,研究了高场下MIM电容的两种失效模式、临界介质击穿电荷密度以及平均失效前时间.通过不同温度下介质电容的导电特性求解了介质内的缺陷能级.重点分析了SiN介质MIM电容的退化机理,研究认为高应力下介质内产生新的施主型缺陷,并占据主导地位,其缺陷能级逐渐向深能级转移;缺陷的持续增加加剧了介质内载流子的散射,导致应力后期泄漏电流降低.SiN介质MIM电容退化机理的研究为加固介质电容提供了依据.
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文献信息
篇名
GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性
来源期刊
物理学报
学科
工学
关键词
SiN
MIM电容
缺陷
平均失效前时间
年,卷(期)
2012,(17)
所属期刊栏目
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向
页码范围
476-481
页数
分类号
TN304.23
字数
语种
中文
DOI
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MIM电容
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平均失效前时间
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期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
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