氘化及氦离子注入对钪膜的表面形貌和相结构的影响

• 作者: 周晓松 彭述明 杨莉 申华海 祖小涛 龙兴贵
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 钪膜 氘化 氦离子注入 表面形貌
• 年，卷（期）: 2012,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 396-402
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文

摘要

采用XRD，SEM，AFM等详细研究了氘化及氦离子注入对钪膜的表面形貌和相结构的影响．结果表明，在单晶硅及抛光Mo基片上制备的钪膜均具有（002）晶面择优取向；钪膜氘化后表面会出现大量孔洞，氘化后氘化钪（ScD2）晶粒长大，但内部会残留少量未完全氘化反应的晶粒尺寸较小的ScDo3z／Sc晶粒；氦离子注入对钪及氘化钪的表面形貌没有明显影响，离子注入的氦将在钪及氘化钪晶格中聚集成泡，导致氦离子注入层中的钪及氘化钪衍射峰向低角度偏移，并且氦泡的聚集具有择优取向性．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙兴贵	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	123	496	10.0	16.0
2	彭述明	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	97	341	10.0	14.0
3	祖小涛	电子科技大学物理电子学院	111	627	12.0	17.0
4	周晓松	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	39	89	5.0	6.0
5	杨莉	电子科技大学物理电子学院	20	70	4.0	7.0
6	申华海	电子科技大学物理电子学院	2	4	2.0	2.0