国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究

• 作者: 刘刚 张彦飞 温景超 王春林 王立新 韩郑生 高博
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 总剂量 辐射效应 退火
• 年，卷（期）: 2012,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 403-409
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

研究了两种国产星用VDMOS器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应，探讨了器件的阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等电参数随累积剂量、退火时问的变化关系．实验结果表明这两种国产星用VDMOS器件辐照后电参数符合技术指标，满足在复杂空间电离辐射环境下工作的要求．此外，通过对器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应进行研究，对其他型号星用VDMOS器件工艺和设计的进一步改进，具有参考作用．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	刘刚	中国科学院微电子研究所	207	2369	24.0	40.0
3	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
4	王春林	中国科学院微电子研究所	9	179	5.0	9.0
5	高博	中国科学院微电子研究所	13	52	4.0	7.0
6	张彦飞	中国科学院微电子研究所	5	18	3.0	4.0
7	温景超	中国科学院微电子研究所	1	6	1.0	1.0