硅衬底InGaN／GaN基蓝光发光二极管droop效应的研究

• 作者: 刘木林 叶志清 闵秋应
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 蓝光LED 量子效率 droop效应
• 年，卷（期）: 2012,（17）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 559-563
• 分类号: TN364.2
• 语种: 中文

摘要

InGaN/GaN基阱垒结构LED当注入的电流密度较大时, LED的量子效率随注入电流密度增大而下降, 即droop效应.本文在Si （111）衬底上生长了 InGaN/GaN 基蓝光多量子阱结构的LED,通过将实验测量的光电性能曲线与利用ABC模型模拟的结果进行对比, 探讨了droop效应的成因.结果显示：温度下降会阻碍电流扩展和降低空穴浓度, 电子在阱中分布会越来越不平衡,阱中局部区域中因填充了势能越来越高的电子而溢出阱外, 从而使droop效应随着温度的降低在更小的电流密度下出现且更为严重, 不同温度下实验值与俄歇复合模型模拟的结果在高注入时趋势相反.这此结果表明,引起 droop效应的主因不是俄歇非辐射复合而是电子溢出,电子溢出的本质原因是载流子在阱中分布不均衡.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志清	江西师范大学物理与通信电子学院	75	448	11.0	17.0
2	闵秋应	江西师范大学物理与通信电子学院	7	13	2.0	3.0
3	刘木林		1	4	1.0	1.0