渐变型量子阱垒层厚度对GaN基双波长发光二极管发光特性调控的研究

• 作者: 张运炎 范广涵 陈峻
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 数值模拟 双波长发光二级管 内量子效率
• 年，卷（期）: 2012,（17）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 564-570
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文

摘要

采用软件理论分析的方法对渐变型量子阱垒层厚度的InGaN双波长发光二极（LED）的载流子浓度分布、能带结构、自发发射谱、内量子效率、发光功率及溢出电子流等进行研究．分析结果表明，增大量子阱垒层厚度会影响空穴在各量子阱的注入情况，对双波长LED各量子阱中空穴浓度分布的均衡性及双波长发光光谱的调控起到一定作用，但会导致内量子效率严重下降：而当以特定的方式从n电极到p电极方向递减渐变量子阱垒层厚度时，活性层量子阱的溢出电子流得到有效的控制，双发光峰强度达到基本一致，同时芯片的内量子效率下降得到了有效控制，且具备大驱动电流下较好的发光特性．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	张运炎	华南师范大学光电子材料与技术研究所	8	34	4.0	5.0