硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长

• 作者: 李成 赖虹凯 郑元宇 陈城钊 陈松岩 黄诗浩
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ge 外延生长 UHV/CVD 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 气体、等离子体和放电物理
• 页码范围: 495-499
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文

摘要

利用超高真空化学气相淀积系统,基于低温缓冲层和插入应变超晶格的方法,在Si（100）衬底上外延出厚度约为880nm的纯Ge层.采用X射线双晶衍射、高分辨透射电镜、原子力显微镜和光致发光谱分别表征了其结构及光学性质.测试结果显示外延Ge的X射线双晶衍射曲线半高宽为273″,表面均方根粗糙度为0.24 nm,位错密度约为1.5×10~6cm~2.在室温下观测到外延Ge的直接带跃迁光致发光,发光峰值位于1540 nm.表明生长的Si基Ge材料具有良好的结晶质量,可望在Si基光电子器件中得到应用.