高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究

• 作者: 刘洪刚 卢力 孙兵 常虎东 王文新 王盛凯 赵威
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管 InGaAs Al2O3
• 年，卷（期）: 2012,（21）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 418-423
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

从模拟和实验两个方面对高迁移率In0.6Ga0.4As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOSHEMT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件开展研究工作. 研究发现InAlAs势垒层对In0.6Ga0.4As MOSHEMT的特性具有重要影响. 与In0.6Ga0.4As MOSFET相比, In0.6Ga0.4As MOSHEMT表现出优异的电学特性. 实验结果表明, In0.6Ga0.4As MOSHEMT的有效沟道迁移率达到2812 cm2/V·s-1, 是In0.6Ga0.4As MOSFET的3.2倍. 0.02 mm栅长的MOSHEMT器件较相同栅长的MOSFET器件具有更高的驱动电流、更大的跨导峰值、更大的开关比、更高的击穿电压和更小的亚阈值摆幅.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘洪刚	中国科学院微电子研究所	10	17	3.0	4.0
2	王文新	中国科学院物理研究所	15	50	4.0	6.0