界面效应调制忆阻器研究进展

• 作者: 王玫 肖志松 贾林楠 郑晓虎 黄安平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 忆阻器 忆阻机理 界面效应 非易失存储
• 年，卷（期）: 2012,（21）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 432-442
• 分类号: TN253
• 语种: 中文

摘要

忆阻器因其优异的非易失存储特性，且具有结构简单、存储速度快、能耗低、集成度高等优势，在新型电子器件研究领域引起了广泛关注．本文从忆阻器结构出发，对忆阻器主要材料、机理等进行了综述，介绍了忆阻器在电子电路及人工智能等领域的研究进展，重点讨论了界面效应对忆阻行为及性能改善等方面的重要作用，提出了界面纳米点嵌入结构对优化忆阻性能的显著效果，并分析了忆阻器可能的发展趋势．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玫	北京航空航天大学物理系	19	88	5.0	9.0
2	肖志松	北京航空航天大学物理系	17	119	6.0	10.0
3	黄安平	北京航空航天大学物理系	23	121	6.0	10.0
4	贾林楠	北京航空航天大学物理系	2	18	1.0	2.0
5	郑晓虎	北京航空航天大学物理系	5	54	4.0	5.0