偏置条件对SOINMOS器件总剂量辐照效应的影响

• 作者: 刘红侠 卓青青 杨兆年 蔡惠民 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 总剂量辐照效应 泄漏电流 栅偏置条件 碰撞电离
• 年，卷（期）: 2012,（22）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 167-172
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

本文研究了0．8μmSOINMOS晶体管，经剂量率为50rad（Si）／s的60Coγ射线辐照之后的总剂量效应，分析了器件在不同辐照条件和测量偏置下的辐照响应特性．研究结果表明：器件辐照时的栅偏置电压越高，辐照后栅氧化层中积累的空穴陷阱电荷越多，引起的漏极泄漏电流越大．对于漏偏置为5V的器件，当栅电压大于阈值电压时，前栅ID-VG特性曲线中的漏极电流因碰撞电离而突然增大，体电极的电流曲线呈现倒立的钟形．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
3	杨兆年	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	11	2.0	3.0
4	卓青青	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	9	33	4.0	5.0
5	蔡惠民	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	12	2.0	3.0