新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型

• 作者: 张玉明 张鹤鸣 徐小波 李妤晨 王冠宇 秦珊珊 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: IMOS 亚阈值摆幅 雪崩击穿 阈值电压
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 426-430
• 分类号: TN303
• 语种: 中文

摘要

本文在研究IMOS器件结构的基础上,分析了该器件不同区域的表面电场,结合雪崩击穿条件,建立了P-IMOS的阈值电压解析模型.应用MATLAB对该器件阈值电压模型与源漏电压、栅长和硅层厚度的关系进行了数值分析,并用二维器件仿真工具ISE进行了验证.结果表明,源电压越大,阈值电压值越小;栅长所占比例越大,阈值电压值越小,硅层厚度越小,阈值电压值越小.本文提出的模型与ISE仿真结果一致,也与文献报道符合.这种新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型的建立为该高性能器件及对应电路的设计、仿真和制造提供了重要的参考.