AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型

• 作者: 廖雪阳 张会龙 张凯 曹梦逸 李文雯 郝跃 郭星 陈伟伟 马晓华 马骥刚
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 kink效应 模型
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 414-418
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

初步分析了AlGaN/GaN器件上的kink效应.在直流模型的基础上,建立了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型,并加入了kink效应发生的漏源偏压与栅源偏压的关系.该模型得出较为准确的模拟结果,可用来判断kink效应的发生和电流的变化量.最后,我们采用模型仿真结合实验分析的方法,对kink效应进行了一定的物理研究,结果表明碰撞电离对kink效应的发生有一定的促进作用.