单轴、双轴应变Si拉曼谱应力模型

• 作者: 宋建军 宣荣喜 张鹤鸣 李永茂 杨晨东 毛逸飞 王冠宇 王程 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 应变Si 拉曼 应力
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 407-413
• 分类号: O734.2
• 字数: 3732字
• 语种: 中文

摘要

本文依据拉曼光谱原理,基于Secular方程及拉曼选择定则分别获得了单轴、双轴（001）,（101）,（111）应变Si材料应变张量与拉曼谱线移动的定量关系,并在此基础上,基于广义胡克定律最终建立了单轴、双轴（001）,（101）,（111）应变Si材料拉曼谱峰与应力的理论关系模型.该模型建立过程详细、系统,所得结果全面、量化,可为应变Si材料应力的测试分析提供重要理论参考.