超薄栅超短沟LDD nMOSFET中栅电压对栅致漏极泄漏电流影响研究

• 作者: 过立新 陈海峰
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: GlDL 带带隧穿 CMOS LDD nMOSFET
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 509-515
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

本文研究了90nm CMOS工艺下栅氧化层厚度为1.4 nm沟道长度为100 nm的轻掺杂漏（LDD）nMOSFET栅电压V_G对栅致漏极泄漏（GIDL）电流I_D的影响,发现不同V_G下ln（I_D/（V_（DG）-1.2））-1/（V_（DG）-1.2）曲线相比大尺寸厚栅器件时发生了分裂现象.通过比较V_G变化下ln（I_D/V_（DG）-1.2））的差值,得出V_G与这种分裂现象之间的作用机理,分裂现象的产生归因于V_G的改变影响了GIDL电流横向空穴隧穿部分所致.随着｜V_G｜的变小,ln（I_D/（V_（DG）-1.2））曲线的斜率的绝对值变小.进一步发现不同V_G对应的1n（I_D/（V_（DG）-1.2））曲线的斜率c及截距d与V_G呈线性关系,c,d曲线的斜率分别为3.09和-0.77.c与d定量的体现了超薄栅超短沟器件中V_G对GIDL电流的影响,基于此,提出了一个引入V_G影响的新GIDL电流关系式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈海峰	西安邮电学院电子工程学院	11	4	1.0	2.0
2	过立新	西安邮电学院电子工程学院	7	60	3.0	7.0