MEAM势与Tersoff势比较研究——碳化硅熔化与凝固行为

• 作者: 周浪 周耐根 洪涛
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 势函数 熔化 晶体生长
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 479-486
• 分类号: TG501.1
• 语种: 中文

摘要

运用分子动力学方法对比模拟研究了碳化硅的体熔化、表面熔化和晶体生长过程.分别采用MEAM势和Tersoff势两种势函数描述碳化硅.结果表明：体熔化时,两种势函数描述的SiC的原子平均能量、Lindemann指数和结构有序参数与温度的变化关系相似,但MEAM势对应的体熔点（4250 K）比Tersoff势（4750 K）的要高.表面熔化时,两种势函数描述的SiC在相同的过热度下熔化速度相近;而在相同的温度条件下,MEAM作用的SiC表面熔化速度更快.这是由于MEAM势SiC的热力学熔点（3338 K）低于Tersoff势SiC的热力学熔点（3430 K）的缘故.两种势函数作用的SiC在晶体生长方面差异很大.MEAM势SiC的晶体生长速度与过冷度有关,过冷度约为400 K时晶体生长速度最快.但Tersoff势SiC晶体却在过冷度为0—1000 K的范围内均不能生长.综合考虑,MEAM势比Tersoff势能更好地描述碳化硅的熔化和凝固行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周耐根	南昌大学材料科学与工程学院	34	179	7.0	12.0
2	周浪	南昌大学材料科学与工程学院	110	1018	16.0	26.0
3	洪涛	南昌大学材料科学与工程学院	108	429	10.0	13.0