Fe,S共掺杂SnO_2材料第一性原理分析

• 作者: 冯现徉 张国莲 张昌文 王培吉 蒋雷 逯瑶
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子结构 态密度 能带结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 185-191
• 分类号: O561.2
• 字数: 4743字
• 语种: 中文

摘要

本文采用基于第一性原理的全电势线性缀加平面波（FP-LAPW）法,计算了Fe,S两种元素共掺杂SnO_2材料的电子结构和光学性质.结果表明：材料仍为直接禁带半导体,体系呈现半金属性;Fe,S共掺可以窄化带隙,且随S浓度增加,态密度向低能方向移动,带隙减小;共掺体系电荷密度重新分布,随S浓度增加,Fe原子极化程度增强,原子间键合能力增强.共掺后介电函数虚部谱与光学吸收谱各峰随S浓度增加而发生红移,光学吸收边减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王培吉	济南大学物理学院	55	321	11.0	13.0
2	张昌文	济南大学物理学院	16	124	8.0	11.0
3	冯现徉	济南大学物理学院	9	77	6.0	8.0
4	逯瑶	济南大学物理学院	11	84	7.0	9.0
5	蒋雷	济南大学物理学院	7	73	6.0	7.0
6	张国莲	济南大学物理学院	9	73	6.0	8.0