HgCdTe反型层的磁输运性质

• 作者: 俞国林 孙雷 戴宁 杨建荣 杨睿 林铁 褚君浩 高矿红 魏彦锋 魏来明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二维电子气 HgCdTe 反弱局域效应
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 417-421
• 分类号: TN215
• 字数: 2069字
• 语种: 中文

摘要

利用成本低廉的液相外延技术,成功制备了具有金属-绝缘体-半导体结构的HgCdTe场效应管器件.在该器件中,观察到清晰的Shubnikov-de Hass振荡和量子霍尔平台,证明样品具有较高的质量.测量零场附近的磁阻曲线,在HgCdTe-基器件中观察到反弱局域效应,表明样品中存在较强的自旋-轨道耦合作用.利用Iordanskii-Lyanda-Pikus理论,很好地拟合了反弱局域曲线.由拟合得到的自旋分裂能随电子浓度的增大而增大,最大达到9.06 meV根据自旋分裂能得到的自旋-轨道耦合系数同样随电子浓度的增大而增大,与沟道较宽的量子阱中所得到的结果相反.