InGaAs/GaAs应变量子阱激光器线宽展宽因子的理论研究

• 作者: 刘国军 张帆 曲轶 李占国 李林 薄报学 隋庆学 马晓辉 高欣
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaAs/GaAs 线宽展宽因子 应变量子阱 增益
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
• 页码范围: 203-209
• 分类号: O482.6
• 字数: 4071字
• 语种: 中文

摘要

详细地介绍了计算线宽展宽因子（α因子）的理论基础及推导过程,建立了α因子的简便模型.该模型分别考虑了带间跃迁、带隙收缩和自由载流子效应对α因子的影响,利用不同载流子浓度下的增益曲线得到光子能量随载流子浓度的变化速率以及微分增益,进而对α因子进行近似计算.模拟计算了InGaAs/GaAs量子阱激光器的增益曲线及α因子的大小,计算结果与文献报道的实验值相符.进一步讨论了InGaAs/GaAs量子阱阱宽及In组分对α因子的影响.结果表明,α因子随In组分和阱宽的增加而增加.