四方晶系应变Si空穴散射机制

• 作者: 宋建军 张鹤鸣 王冠宇 王晓艳 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 数学
• 关键词: 应变Si 散射概率 迁移率
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 422-427
• 分类号: O241.82
• 语种: 中文

摘要

基于Fermi黄金法则及Boltzmann方程碰撞项近似理论,推导建立了（001）弛豫Si（_1-x）Ge_x衬底外延四方晶系应变Si空穴散射几率与应力及能量的理论关系模型,包括离化杂质、声学声子、非极性光学声子及总散射概率（能量40 meV时）模型.结果表明：当Ge组分（x）低于0.2时,应变Si/（001）Si_（1-x）Ge_x材料空穴总散射概率随应力显著减小.之后,其随应力的变化趋于平缓.与立方晶系未应变Si材料相比,四方晶系应变Si材料空穴总散射概率最多可减小66%.应变Si材料空穴迁移率增强与其散射概率的减小密切相关,本文所得量化模型可为应变Si空穴迁移率及PMOS器件的研究与设计提供理论参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	36	204	9.0	12.0
4	王晓艳	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	12	52	4.0	6.0
5	王冠宇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	12	48	5.0	6.0