3MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响

• 作者: 吕玲 张进成 曹艳荣 李亮 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 质子辐照 AlGaN/GaN HEMT SRIM 空位密度
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 390-397
• 分类号: TN386.3
• 语种: 中文

摘要

研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的质子辐照效应.在3 MeV质子辐照下,当辐照剂量达到1×10^15 protons/cm~2时,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%.随着剂量增加,阈值电压向正向漂移,栅泄露电流增加.在相同辐照剂量下,1.8 MeV质子辐照要比3 MeV质子辐照退化严重.从SRIM软件仿真中得到不同能量质子在AlGaN/GaN异质结中的辐射损伤区,以及在一定深度形成的空位密度.结合变频C-V测试结果进行分析,表明了质子辐照引入空位缺陷可能是AlGaN/GaN HEMT器件电学特性退化的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马晓华	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	40	140	7.0	8.0
2	曹艳荣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	11	41	5.0	6.0
3	吕玲	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	7	20	2.0	4.0
4	张进成	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	19	65	5.0	7.0
5	李亮	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	9	1.0	3.0