Cs/GaN（0001）吸附体系电子结构和光学性质研究

• 作者: 付小倩 常本康 张俊举 李飙 杜玉杰 王晓晖
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 Cs/GaN(0001)吸附体系 吸附能 电子结构
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 378-384
• 分类号: O484.41
• 语种: 中文

摘要

采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法计算了1/4ML Cs原子吸附（2×2）GaN（0001）表面的吸附能、能带结构、电子态密度、电荷布居数、功函数和光学性质.计算发现,1/4ML Cs原子在GaN（0001）表面最稳定吸附位为N桥位,吸附后表面仍呈现为金属导电特性,Cs原子吸附GaN（0001）表面后主要与表面Ga原子发生作用,Cs6s态电子向最表面Ga原子转移,引起表面功函数下降.研究光学性质发现,Cs原子吸附GaN（0001）表面后,介电函数虚部、吸收谱、反射谱向低能方向移动.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	王晓晖	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	92	6.0	8.0
3	张俊举	南京理工大学电子工程与光电技术学院	67	693	11.0	22.0
4	李飙	南京理工大学电子工程与光电技术学院	6	37	4.0	6.0
5	付小倩	南京理工大学电子工程与光电技术学院	3	19	3.0	3.0