SiN分子外电场情况下的发光特性

• 作者: 刘玉芳 张现周 徐国亮 袁伟 谢会香
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiN 外电场 激发特性
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 101-106
• 分类号: O441.1
• 语种: 中文

摘要

为全面分析外电场对分子发光特性的影响,本文采用密度泛函B3P86方法6-31g（d）基组,对SiN分子进行了基态结构的优化,进而使用含时密度泛函方法（time dependent density functional theory,TDDFT）,计算了不同方向及大小的外电场情况下SiN分子的吸收谱、激发能、振子强度、跃迁偶极矩.通过比较发现外电场对该分子的激发能、吸收谱、跃迁振子强度及跃迁偶极矩影响都比较明显,说明了电场对SiN分子的激发特性影响比较复杂,特别是在加场前后分子均有在可见光区波段的吸收谱,这对研究分子的发光很有意义.同时对该分子所发可见光谱的产生机理进行了分析,并与已有实验结果进行比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉芳	河南师范大学物理与信息工程学院	156	576	11.0	17.0
2	张现周	河南师范大学物理与信息工程学院	73	229	8.0	12.0
3	徐国亮	河南师范大学物理与信息工程学院	29	135	6.0	10.0
4	谢会香	河南师范大学物理与信息工程学院	4	12	2.0	3.0
5	袁伟	河南师范大学物理与信息工程学院	6	34	5.0	5.0