N掺杂Cu_2O薄膜的光学性质及第一性原理分析

• 作者: 唐鑫 张庆瑜 李洪婧 濮春英
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu_2O：N 禁带宽度 电子态密度
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 380-385
• 分类号: O561.2
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射技术,在不同温度下制备了N掺杂Cu_2O薄膜.透射光谱分析发现,N掺杂导致Cu_2O成为允许的带隙直接跃迁半导体,并使Cu_2O的光学禁带宽度增加.不同温度下沉积的薄膜光学禁带宽度E_g=2.52±0.03 eV.第一性原理计算表明,N掺杂导致Cu_2O的禁带宽度增加了约25%,主要与价带顶下移和导带底上移有关,与实验报道基本符合.N的2p电子态分布不同于O原子,在价带顶附近具有较大的态密度是N掺杂Cu_2O变成允许的带隙直接跃迁半导体的根本原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张庆瑜	大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室	92	897	16.0	25.0
2	濮春英	大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室	3	17	2.0	3.0
3	李洪婧	大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室	1	10	1.0	1.0
4	唐鑫	广西桂林理工大学材料科学与工程学院	2	17	2.0	2.0