He＋辐照对Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜铁磁性的改善

• 作者: 丁斌峰 王洪涛 王立明 相凤华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子辐照 铁磁性 磁阻
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 326-331
• 分类号: O482.523
• 语种: 中文

摘要

离子辐照半导体可以很好的改善半导体材料的磁学性质.用He~＋辐照Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜,可以较方便的调制Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜中产生铁磁性载体的浓度.由于空穴居间而导致Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜的铁磁性,可以通过He~＋的辐照来得到改善,其结果是Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜的矫顽力可以增加3倍多.当He~＋辐照流强增加时,居里温度和沿着样品面外磁化难轴方向的饱和磁场都减小了.被辐照的Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜的电学性质和结构特征显示,He~＋辐照Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜可以有控制地改善它的铁磁性,其结果源于He~＋辐照Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜所诱导产生电缺陷对空穴的补偿,而不是He~＋辐照改变了Ga_（0.94）Mn_（0.06）As薄膜的结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立明	廊坊师范学院物理与电子信息学院	36	43	3.0	4.0
2	丁斌峰	廊坊师范学院物理与电子信息学院	21	17	3.0	3.0
3	相凤华	廊坊师范学院物理与电子信息学院	22	34	4.0	5.0
4	王洪涛	廊坊师范学院物理与电子信息学院	6	10	2.0	3.0