反对称n-AlGaN层对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响

• 作者: 严启荣 李述体 牛巧利 石培培 章勇 范广涵 郑树文 闫其昂
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: n-AlGaN p-AlGaN 混合多量子阱 双蓝光波长
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 330-337
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文

摘要

采用数值分析方法对在InGaN/GaN混合多量子阱活性层和n-GaN之间引入n-A1GaN层的GaN基双蓝光波长发光二极管进行模拟分析.结果发现,与传统的具有p-A1GaN电子阻挡层的双蓝光波长发光二极管相比,这种反对称n-A1GaN层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性及减少电子溢出,实现电子空穴在各个量子阱中的平衡辐射,从而减弱了双蓝光波长发光二极管的效率衰减.此外,通过改变A1组分可以提高双蓝光波长发光二极管发射光谱的稳定性：当A1组分为0.16时,双蓝光波长发光二极管的光谱在小电流下比较稳定,而A1组分为0.12时,光谱在大电流下比较稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0
2	郑树文	华南师范大学光电子材料与技术研究所	33	128	7.0	8.0
3	章勇	华南师范大学光电子材料与技术研究所	37	273	8.0	16.0
4	牛巧利	华南师范大学光电子材料与技术研究所	10	16	3.0	3.0
5	严启荣	华南师范大学光电子材料与技术研究所	6	11	2.0	3.0
6	石培培	华南师范大学光电子材料与技术研究所	4	5	2.0	2.0
7	闫其昂	华南师范大学光电子材料与技术研究所	2	3	1.0	1.0