Cr,Mg：GSGG晶体生长、光谱性能及Cr4＋形成机理的研究

• 作者: 吴锋 唐慧丽 姜大朋 徐军 王庆国 苏良碧 邹宇琦 郑丽和 郭鑫
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cr,Mg：GSGG单晶 退火处理 四面体格位 光谱性质
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 481-485
• 分类号: O781
• 语种: 中文

摘要

采用传统提拉法单晶生长技术成功生长出了Cr,Mg：GSGG晶体,并对生长出的晶体样品进行了氧化气氛和还原气氛退火处理.通过对比分析退火处理前后样品吸收光谱的变化,推断出晶体中四面体配位Cr~（4＋）离子的形成机理为：晶体生长和高温氧化气氛退火的过程中,四价Cr~（4＋）离子首先在八面体格位上形成,然后在热激发作用下与邻近四面体格位上的Ga~（3＋）离子发生置换反应,从而形成一定浓度的四面体配位Cr~（4＋）离子.实验结果还表明,随着电荷补偿离子Mg~（2＋）离子浓度的增大,更有利于提高四面体配位Cr~（4＋）离子的浓度.