氧空位对Co掺杂TiO_2稀磁半导体中杂质分布和磁交换的影响

• 作者: 孙运斌 张向群 成昭华 李国科 杨海涛
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 稀磁半导体 氧空位 双交换
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 446-453
• 分类号: O614.121
• 语种: 中文

摘要

本文使用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Co掺杂TiO_2稀磁半导体中氧空位对体系能量和磁性的影响.通过对总能量的计算发现当引入氧空位后近邻杂质体系能量高于均匀掺杂体系,同时氧空位易在Co近邻位置富集.进而发现氧空位的存在及其占位可以影响Co离子间的磁交换,近邻Co离子体系下氧空位的引入使Co离子间的铁磁耦合减弱;非近邻Co离子体系下,底面氧空位使Co离子间呈反铁磁耦合而顶点氧空位使Co离子间呈铁磁耦合.总之,氧空位的存在对Co掺杂TiO_2材料的能量及磁性都有较大影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨海涛	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	18	288	7.0	16.0
2	成昭华	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	10	37	4.0	5.0
3	孙运斌	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
4	张向群	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	3	38	2.0	3.0
5	李国科	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	1	2	1.0	1.0