Sb2Te3热电薄膜磁控溅射制备工艺

• 作者: 付明亮 孙少鹏 杭春进 王春青 王树峰
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热电材料 磁控溅射 薄膜 Sb2Te3
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 103-107
• 分类号: TN304
• 字数: 2386字
• 语种: 中文

摘要

Sb2Te3基半导体合金是目前性能较好的热电半导体材料.将材料低维化处理可以获得较块状材料更大的热电优值.通过磁控溅射工艺制备低维Sb2Te3薄膜,并通过AFM、XRD和XPS测试方法对薄膜的成分、薄膜表面以及原子偏析进行表征.通过退火工艺去除薄膜应力,观察退火工艺前后薄膜表面形貌的变化以及退火温度对薄膜表面质量的影响.试验结果表明通过磁控溅射工艺所制备出的Sb2Te3薄膜为非晶态,随着溅射功率增大,薄膜的表面粗糙度增大.退火可使薄膜变为晶态,但是表面粗糙度增大.较大或较小溅射功率下所制备的薄膜其合金成分与合金靶材有较大偏差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王春青	哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室	96	921	16.0	24.0
2	杭春进	哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室	16	142	6.0	11.0
3	付明亮	哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室	2	5	2.0	2.0
4	孙少鹏	哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
5	王树峰		2	2	1.0	1.0