基于GaN-HEMT L波段高线性度功率放大器

• 作者: 吴景峰 孙志宇 林朋 王旭东 王立发
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓高电子迁移率晶体管 L波段 匹配电路 高线性度 功率放大器
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 207-211
• 分类号: TN722.75
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.03.010

摘要

介绍了一种基于GaN-HEMT的L波段线性功率放大器,GaN功率HEMT具备高电压、高功率密度和高温工作等特点,对提升功率放大器线性输出功率、工作效率和增益等性能起到重要作用.在GaN功率HEMT基础上,通过对功率放大器的线性化技术研究,使用ADS2009仿真软件建立电路模型,采用了预失真技术来改善功率放大器的线性度和工作效率,并且优化50 Ω匹配电路来改善输入输出端驻波比和降低功率损耗.最终研制出在+28 V供电电压情况下,增益为16 dB、1 dB压缩点处输出功率为45 dBm和工作效率为35％的线性功率放大器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴景峰		3	9	2.0	3.0
2	王旭东		1	4	1.0	1.0
3	王立发		1	4	1.0	1.0
4	林朋		1	4	1.0	1.0
5	孙志宇		1	4	1.0	1.0