高性能碳化硅混合功率模块研制

• 作者: 史晶晶 彭勇殿 李诚瞻 邵云
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC SBD IGBT 混合功率模块 能量损耗
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件与应用
• 页码范围: 5-7
• 页数: 3页
• 分类号: TN7
• 语种: 中文

摘要

报道了一种基于自主封装技术的高性能、高效率碳化硅(SiC)混合功率模块,该功率模块的反向阻断电压为1200 V,正向导通电流为480 A.动态测试表明,其峰值反向恢复电流I仅为-115 A,关断延迟时间td(off)为3.36 μs,关断能量损耗Eoff为296.82 mJ,开通延迟时间td(on)仅为0.66 μs,开通能量损耗Eon仅为242.27 mJ,输出功率可达到百千瓦级别.与传统的硅基IGBT模块相比,该碳化硅混合功率模块大大降低了模块的能量损耗.