深槽刻蚀工艺中lag效应的研究

• 作者: 宋运康 滕霖 熊恒
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体深刻蚀(DRIE) 微电子机械系统(MEMS) lag效应 反常lag效应 平衡模型 正交实验
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 177-183
• 分类号: TH703|TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.03.008

摘要

等离子体深刻蚀技术是MEMS制备的关键,利用该技术进行刻蚀时,会出现lag效应和反常lag效应,严重影响器件的性能.为了消除lag效应,建立刻蚀和钝化模型分析lag的产生,并利用ARDE表征lag.采用“四因子-三水平”的正交实验研究不同工艺参数对lag的影响,得到工艺参数影响lag的优先级:线圈功率和极板功率对lag产生影响最大,与此同时得到一组最优的实验参数.在低线圈功率和低极板功率条件下,研究了改变压强和气体流量对lag的影响,增加压强和气体流量都会减小lag.最终通过优化工艺参数得到了反常lag结构和lag消除的刻蚀结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋运康		2	3	1.0	1.0
2	滕霖		8	84	5.0	8.0
3	熊恒		1	0	0.0	0.0