应用电子辐照技术试制硅塑封快速二极管及性能研究

• 作者: 刘星 史晓东 张宇蔚 张治平 杭德生 高宝山
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电子辐照 少子寿命 反向恢复时间 正向峰值压降 缺陷能级
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 核电子学与仪器
• 页码范围: 66-70
• 页数: 5页
• 分类号: O571.33|TN310.7
• 字数: 2936字
• 语种: 中文

摘要

介绍了采用高能12 MeV电子辐照效应来控制快速二极管少子寿命的方法,探讨了高能电子辐照对器件少子寿命τ、反向恢复时间(t)(n)和正向峰值压降VFM的影响,用高分辨率深能级瞬态仪(DLTS)测定和研究了引入缺陷能级的性质.应用研究结果表明,辐照快速二极管体内引入的缺陷能级是导致其电参数(t)(n)和VFM变化的直接原因,该技术可成功取代传统的掺金工艺,并具有τ控制精确,(t)(n)和VFM一致性好、重复性好、合格率高、工艺简便的优点,是一项具有发展前途的工艺技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张治平	南京大学物理学院	8	81	5.0	8.0
2	杭德生	南京大学物理学院	10	66	4.0	8.0
3	史晓东	南京大学物理学院	4	19	3.0	4.0
4	张宇蔚		2	4	2.0	2.0
5	刘星	南京大学物理学院	3	7	2.0	2.0
6	高宝山	南京大学物理学院	1	2	1.0	1.0