水热法合成二硫化钼纳米花

• 作者: 吴锋民 孟庆哲 方允樟 杜元宝 蔡嫦芳 韩聪
• 来源期刊: 纳米技术
• 学科: 工学
• 关键词: MoS2纳米花 水热法 晶相 形貌
• 年，卷（期）: nmjs,（2）
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: TB3

摘要

MoS2纳米花以MoO3和Na2S为前驱体,在230℃下采用水热法反应6 h合成。MoO3为反应提供钼源,Na2S为反应提供硫源,同时还作为反应中的还原剂。产物通过XRD和SEM、Raman光谱表征其特性。MoS2纳米花是由几十到上百个花瓣组织构成的,平均花径约为200~300 nm,边缘厚度约为5~10 nm的薄片花瓣从一个中心向各个方向放射性生长。对比反应温度和盐酸的浓度的对合成MoS2纳米花的影响,结果表明其最佳实验条件为:反应温度为230℃,盐酸浓度为0.4 mol/L,反应时间为6 h。实验结果表明,采用此方法合成MoS2纳米花晶相纯,没有杂质且反应时间短,实验条件要求低。同时还探究了实验可能的反应原理。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方允樟	浙江师范大学LED芯片研发中心	54	148	7.0	10.0
2	吴锋民	浙江师范大学LED芯片研发中心	30	112	6.0	9.0
3	蔡嫦芳	浙江师范大学LED芯片研发中心	1	0	0.0	0.0
4	杜元宝	浙江师范大学LED芯片研发中心	1	0	0.0	0.0
5	韩聪	浙江师范大学LED芯片研发中心	1	0	0.0	0.0
6	孟庆哲	浙江师范大学LED芯片研发中心	2	0	0.0	0.0