中科院宣布成功开发22nm MOSFET

• 作者: 郑冬冬
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子研究所 工艺研发 NM MOSFET 技术节点 中国科学院 国际专利申请 商用领域 中芯国际
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（1）
• 页码范围: 3-4
• 页数: 2页
• 分类号: TN386.1

摘要

【正】中国科学院微电子研究所(IMECAS)宣布在22 nm CMOS制程上取得进展,成功制造出高K金属闸MOSFET。中科院指出,中国本土设计与制造的22nm元件展现出更高性能与低功耗。根据中科院微电子研究所电路先导工艺研发中心表示,这项研发专案并结