一种用于横向高压器件的曲率结扩展技术

• 作者: 乔明 何逸涛 吴文杰 周锌
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 横向高压器件 曲率结扩展 曲率半径 超结
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 功率集成电路及其应用专辑
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: TN303
• 字数: 2152字
• 语种: 中文

摘要

提出一种用于横向高压器件的曲率结扩展技术,并在横向双扩散MOSFET(LDMOS)上进行了实验验证.该技术采用一个轻掺杂的p-sub层,插入LDMOS的曲率结区域,从而将高掺杂的小曲率半径p-body/n-drift突变结调整为低掺杂的大曲率半径p-sub/n-drift结,降低了p-body/n-drift突变结的电场峰值,避免了在该处发生提前的雪崩击穿.该技术已成功应用于超结LDMOS,实验结果显示,应用了该技术的超结器件击穿电压达800V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴文杰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	31	3.0	5.0
2	周锌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	6	1.0	2.0
3	乔明	中国电子科技集团公司第五十八研究所	2	1	1.0	1.0
4	何逸涛	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	6	1.0	2.0