C3N4基本性质的第一性原理研究

• 作者: 卢运祥 朱玉俊 裘灵光 阮林伟
• 来源期刊: 安徽大学学报（自然科学版）
• 学科: 数学
• 关键词: C3N4 第一性原理 CASTEP
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 化学
• 页码范围: 78-88
• 页数: 11页
• 分类号: O224
• 字数: 6272字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2013.06.013

摘要

通过第一性原理方法计算得到α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N[J]4、Pseudocubic-C3N4、Graphitic-C3N4的光学及电学性质.结果表明,α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N4为间接带隙半导体,Pseudocubic-C3N4与Graphitic-C3N4为直接带隙半导体,它们的带隙依次减小,分别为3.886、3.273、3.023、2.592、1.260 eV.光学性质显示,C3N4的光吸收有2个吸收峰,而且都在紫外光区,α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N4、Pseudocubic-C3N4对应的是σ的跃迁,Graphitic-C3N4对应的是σ跃迁和π跃迁.C3N4的光导率谱显示,C3N4具有较宽的光导率响应区间,且有较大的峰值,其中Pseudocubic-C3N4的峰值最大,说明它的光导性能最强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	裘灵光	安徽大学化学化工学院	48	182	8.0	12.0
2	阮林伟	安徽大学化学化工学院	4	27	1.0	4.0
3	朱玉俊	安徽大学化学化工学院	4	27	1.0	4.0
4	卢运祥	华东理工大学化学与分子工程学院	7	29	1.0	5.0