靶材密度对射频磁控溅射法制备ITO薄膜性能的影响

• 作者: 朱归胜 肖渊渊 黄玉音
• 来源期刊: 电工材料
• 关键词: 氧化锡铟(ITO) 靶材密度 薄膜 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 41-44
• 分类号: TM23|TN304.055
• 语种: 中文

摘要

以不同密度的氧化锡铟(ITO)靶材为原料,采用射频磁控溅射法,在室温下沉积并经750℃退火,获得了电阻率为1.56×10?4Ω·cm、可见光透过率为87%的ITO薄膜.对不同密度靶材制备的ITO薄膜的微观结构、电学及光学性能进行了表征与探讨.结果表明,采用射频磁控溅射法时,不同靶材密度对ITO薄膜的沉积速率、结构、电学和光学性能均无显著影响.该结果为采用低密度ITO靶材制备高品质ITO薄膜提供了一个新的思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱归胜	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	24	97	5.0	9.0
2	肖渊渊	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	3	1	1.0	1.0
3	黄玉音	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	3	1	1.0	1.0