具有埋界面漏的Trench功率MOSFET研究

• 作者: 朱志 胡盛东 金晶晶 雷剑梅
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化层半导体场效晶体管 击穿电压 比导通电阻
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 功率集成电路及其应用专辑
• 页码范围: 3-4,7
• 页数: 3页
• 分类号: TM43
• 字数: 1724字
• 语种: 中文

摘要

研究了两种具有埋界面漏的槽型技术(Trench)功率金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET).利用埋于整个界面的漏n+层缩短开态时载流子在高电阻率n-漂移区的运动路径,从而降低器件比导通电阻,缓解功率MOSFET器件比导通电阻与击穿电压之间的矛盾.详细研究了器件结构参数对比导通电阻和击穿电压的影响.器件1为50～70 V级器件;器件2利用p型硅条增强降低表面电场(RESURF)效应及优化体内电场分布,使得器件性能进一步提高,在133 V的击穿电压时获得0.85 mΩ· cm2的低比导通电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷剑梅	重庆大学通信工程学院	14	124	7.0	11.0
2	胡盛东	重庆大学通信工程学院	2	4	2.0	2.0
3	朱志	重庆大学通信工程学院	2	4	2.0	2.0
4	金晶晶	重庆大学通信工程学院	1	2	1.0	1.0