一种正电控制大衰减量的6 bit单片数控衰减器

• 作者: 刘金 王凯 王清源 甄建宇 赵瑞华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 大衰减量 数控衰减器 正电控制 微波单片集成电路 数模混合
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 184-188
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.03.005

摘要

分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC～2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器.并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平,成功实现了正电控制,对单片电路进行了仿真与优化,采用GaAs工艺技术完成了流片.测试结果表明,在DC ～2 GHz频带内,衰减步进l dB,最大衰减量63 dB,插入损耗小于1.7 dB,衰减精度小于±0.1 dB@1 dB～4 dB；小于±0.8 dB@8 dB～32 dB；小于±1.3 dB@48 dB ～63 dB,两个端口在所有态下的驻波比小于1.2:1.单片数控衰减器芯片尺寸为3.0 mm×2.0 mm,控制电压为0和5V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王凯	中国电子科技集团公司第十三研究所	36	31	4.0	4.0
2	赵瑞华	中国电子科技集团公司第十三研究所	14	39	3.0	5.0
3	甄建宇		3	8	1.0	2.0
7	王清源		2	7	1.0	2.0
8	刘金	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	9	2.0	3.0