一种应用于低噪声PLL的RF-VCO设计

• 作者: 张涛 王丽秀 蒋颍丹
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 压控振荡器 锁相环 金属氧化物晶体管可变电容 频率调节 相位噪声
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 17-20
• 分类号: TN402
• 字数: 1659字
• 语种: 中文

摘要

在PLL电路设计中,压控振荡器设计是电路的关键模块,按类型又主要分为LC震荡器和环形振荡器两种,其性能直接决定了相位噪声、频率稳定度及覆盖范围.文章介绍了一款1.8 GHz的基于交叉耦合对LC结构的低噪声CMOS压控振荡器的设计,并对调谐范围、相位噪声以及电路起振条件等做了分析讨论.该设计采用0.18μm 6层金属CMOS工艺制造,模块面积为0.3 mm2,电路经过Cadence SpectreRF仿真,VCO的输出范围为1594~2023 MHz,中心频率1.8 GHz输出时相位噪声为-118 dBc/Hz@600 kHz,1.9 GHz输出时相位噪声为-121 dBc/Hz@600 kHz.结果表明该VCO设计达到了较宽的频率覆盖范围和较低的相位噪声,可以满足低噪声PLL的设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王丽秀		6	9	2.0	2.0
2	张涛		56	95	7.0	7.0
3	蒋颍丹		1	0	0.0	0.0