多峰负氢离子源全三维数值模拟研究

• 作者: 王平
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 多峰负氢离子源 快电子 体积产生 粒子模拟-蒙特卡罗
• 年，卷（期）: 2013,（14）
• 页码范围: 119-122,126
• 页数: 5页
• 分类号: TN911-34|O532
• 语种: 中文

摘要

理论分析了负氢离子体积产生机制，采用自主开发的三维PIC?MCC模拟软件，对多峰磁场约束的负氢离子源进行数值模拟研究。模拟了引出磁场、放电初始能量、及放电位置对振动激发碰撞效率的影响，探索了多峰负氢离子源的优化手段。研究表明：如果进入引出区的快电子越多且-y方向漂移越剧烈，那么振动碰撞越频繁且相对碰撞率越高，即负氢离子体积产生效率越高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王平	电子科技大学物理电子学院	24	68	5.0	6.0