与绝对温度成正比BiCMOS集成温度传感器设计

• 作者: 王侠 王进军
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 集成温度传感器 绝对温度成正比 BiCMOS
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 系统及组件
• 页码范围: 749-751
• 页数: 3页
• 分类号: TN433
• 字数: 1945字
• 语种: 中文

摘要

利用工作在弱反型区MOS管饱和漏电流的指数特性,设计了一款与绝对温度成正比(PTAT) BiC-MOS集成温度传感器,主要电路由PTAT电流产生电路、启动电路和输出电路3部分组成,电路结构简单,体积小.测试结果表明,该温度传感器的精度小于0.5℃,线性度小于0.65％,灵敏度为2.5μA/℃,芯片面积为150 μm×75 μm,具有线性度及灵敏度高的优点,可广泛应于各类便携式电子产品中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王侠	西安科技大学电气与控制工程学院	16	32	3.0	4.0
2	王进军	陕西科技大学电气与信息工程学院	14	24	3.0	4.0