不同剂量率下锗硅异质结双极晶体管电离损伤效应研究

• 作者: 付军 刘志弘 周卫 孙亚宾 崔杰 张伟 李高庆 王玉东 许军
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 锗硅异质结双极晶体管 低剂量率辐照损伤增强 辐照效应
• 年，卷（期）: 2013,（19）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 381-387
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.196104

摘要

对于相同制作工艺的NPN锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)，在不同辐照剂量率下进行60 Coγ射线的辐照效应与退火特性的研究。测量结果表明，两种辐照剂量率下，随着辐照总剂量增加，晶体管基极电流增大，共发射极电流放大倍数降低，且器件的辐照损伤、性能退化与辐照剂量率相关，低剂量率下辐照损伤较高剂量率严重。在经过与低剂量率辐照等时的退火后，高剂量率下的辐照损伤仍较低剂量率下的损伤低，即待测SiGeHBT具有明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS)。本文对相关的物理机理进行了探讨分析。