n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究

• 作者: 丁丽华 徐安成 朱锡芳 熊超 肖进 袁洪春 陆兴中 陈磊
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: p-CuI/n-Si异质结 I-V特性 C-V特性 内建电势 界面态
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 787-790,803
• 分类号: TN304
• 语种: 中文

摘要

采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积y相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结.并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究.研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流特性,由于在CuI/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大,在正向电压、无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱锡芳	常州工学院光电工程学院	81	500	11.0	20.0
2	陆兴中	常州工学院光电工程学院	16	20	3.0	4.0
3	熊超	常州工学院光电工程学院	7	8	1.0	2.0
7	袁洪春	常州工学院光电工程学院	32	38	4.0	4.0
8	肖进	常州工学院光电工程学院	27	23	3.0	4.0
9	陈磊	常州工学院光电工程学院	25	22	3.0	4.0
10	丁丽华	常州工学院光电工程学院	2	4	1.0	2.0