4～20 GHz超宽带低噪声放大器单片电路

• 作者: 柳现发 王绍东 许春良 高学邦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超宽带 低噪声放大器 行波 微波单片集成电路 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 6-9
• 分类号: TN43|TN722.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.01.002

摘要

采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路.该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一级又采用了两个场效应晶体管(FET)串联结构.放大器采用了自偏压单电源供电,因为每级有两个FET串联,自偏压电路更为复杂,通过多个电阻分压的方式确定了每个FET的工作点.测试结果表明,该放大器在频率4～ 20 GHz内,增益大于14 dB,噪声系数小于3.0dB,增益平坦度小于±1.0 dB,输入驻波比小于1.5∶1,输出驻波比小于1.8∶1,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm.放大器的工作电压为8V,电流约为50 mA,芯片面积为2.0 mm ×2.0 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许春良	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	14	2.0	3.0
2	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
3	王绍东	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	78	6.0	8.0
4	柳现发	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	30	4.0	4.0