退火温度对ITO薄膜电导率的影响

• 作者: 孟庆哲 方允樟 李文忠 金林峰 马云
• 来源期刊: 材料科学
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化铟锡(ITO) 快速退火(RTA) 电导率
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 45-49
• 页数: 5页
• 分类号: O48

摘要

采用电子束蒸镀技术研究ITO薄膜的电导率与热处理(RTA)温度的关系。利用XRD分析薄膜的相结构,用SEM观测薄膜的显微结构,利用Hall测试仪测量薄膜的电学性能。结果表明,退火后ITO薄膜的结晶度得到明显改善,晶相择优生长,晶粒尺寸变大,薄膜电导率随退火温度的上升先升高后下降。经过520℃退火15 min时,制备的薄膜样品电导率最大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方允樟	浙江师范大学数理与信息工程学院	54	148	7.0	10.0
2	马云	浙江师范大学数理与信息工程学院	9	7	2.0	2.0
3	李文忠	浙江师范大学数理与信息工程学院	7	7	2.0	2.0
4	孟庆哲	浙江师范大学数理与信息工程学院	2	0	0.0	0.0
5	金林峰	浙江师范大学数理与信息工程学院	1	0	0.0	0.0