Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT电学和结构性质的影响

• 作者: 崔明 张宝顺 朱建军 范亚明 邢艳辉 钟林健 陈翔 霍文娟 韩军
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Al组分 AlGaN 高电子迁移率晶体管 电学性质 MOCVD
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1646-1650
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2545字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133412.1646

摘要

采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料.研究了AlxGa1-xN势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响.研究结果表明,在一定的Al组分范围内,二维电子气(2DEG)浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大.然而,过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大,2DEG迁移率降低,该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证.在最佳Al组分(25％)范围内,获得的HEMT材料的2DEG浓度和室温迁移率分别达到1.2×1013 cm-2和1 680 cm2/(V·s),方块电阻低至310Ω/.