光学相干层析成像用于微机电系统测量研究

• 作者: 秦玉伟
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 工学
• 关键词: 测量与计量 结构 光学相干层析成像 微机电系统
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 664-667
• 页数: 4页
• 分类号: TN247
• 字数: 1285字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2013.05.022

摘要

为了对硅V型槽的结构进行测量，采用热光源谱域光学相干层析成像法，进行了理论分析和实验验证，取得了硅V型槽的1维深度和2维层析图像，获得了硅V型槽的深度、上部宽度和底部宽度数据分别为145.38μm，212μm和32μm。结果表明，该测量结果与扫描电子显微镜测量值基本一致。这对微机电系统结构测量是有帮助的。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦玉伟	渭南师范学院物理与电气工程学院	42	95	6.0	7.0